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突破性进展!纳米芯片制造新技术

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近日,一个由美国纽约城市大学Riedo教授领导国际研究小组,在制造纳米芯片方面取得了突破性进展,可能对纳米芯片的生产和技术产生深远影响。研究称新型的热扫描探针光刻技术(t-SPL)比传统电子束光刻技术(EBL)相比具有明显的优势。相关成果发表在最新一期的《Nature Electronics》。

论文链接:

https://www.nature.com/articles/s41928-018-0191-0

更小、更快的半导体二维材料是科学家一直追求的目标。该研究称,基于二维半导体材料二硫化钼的金属电极制造技术,采用100℃探针光刻技术效果优于标准的制造技术。这种过渡金属可能会取代硅,成为原子级芯片的材料之一。

与传统光刻技术相比,该热光刻技术显著的提升了二维晶体管的质量,芯片设计人员能够对二维半导体材料成像,并对电极进行图像化处理。此外,热光刻技术可以节省大量成本,降低功耗,并不需要采用高能电子和超高真空。

据美国纽约城市大学报道,Riedo希望热光刻技术能将大部分制造技术从洁净室转移到实验室,这便于快速的推进材料科学和芯片设计的发展。当热光刻技术的分辨率达到10nm,可使用120伏的标准电源,热光刻技术就会像3D打印技术一样出现在实验室。(未经允许谢绝转载)

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